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IGBTとは、絶縁ゲート型バイポーラートランジスター（Insulated Gate Bipolar Transistor）の略称。入力部がMOS構造、出力部がバイポーラー構造となっており、高耐圧・大電流に最適なトランジスターです。当社では、オンセミ、アドバンスドパワー製品を提供しています。