IGBT｜オーエスエレクトロニクス株式会社

構造：入力部MOSFET、出力部バイポーラ

特徴：高耐圧、低オン電圧、大電流に最適スイッチングトランジスタ

利点：高速化、小型化、低コスト化

用途：電力(モータ)制御　車載、産業用機器、民生機器(白物家電)

1. FS4 650VシリーズはVce(sat)が非常に小さいです。Vce(sat)=1.15V -  1.45V(typ)

>>FGHL40T65LQDT、FGHL50T65LQDTL4、等-----

2. ISO-TP247は絶縁されたTO-247パッケージで、厚い絶縁シート無しでヒートシンクに薄い熱界面材料（TIM）

   或いは裏面を直接半田付可能です。これにより、低熱抵抗化が可能となります。

>>AFGE200T75RQD、AFGE200T75RQDL4、等-----

3. SiC SBD内蔵型ハイブリッドIGBTはダイオードのリカバリ損失を大幅に低減させることが出来ます。

    Reverse Recovery Time trr=30ns(typ)

>>AFGHL50T65SQDC     AFGHL75T65SQDC  

1. FS4シリーズ低Vce(sat)の他社との比較

IC=80A以下では他社製品とほぼ同じ位だが、

80Aを超える領域では他社より小さい。

従来品では放熱板とパッケージを絶縁するために

500um以上絶縁シートが必要。

その為にRthj-sが大きくなり、放熱効果が悪化。

ISO-TP247パッケージはChipと内部で

絶縁されているため、絶縁シートは薄くて良い。

よって、Rthj-sが小さくなり放熱効果が改善される。

3. SiC SBD(Schottky diode)のリカバリ特性