SiC MOSFET｜オーエスエレクトロニクス株式会社

シリコンカーバイド(SiC)は、シリコン(Si)と炭素(C)

の化合物からなる半導体物質で、

通常のシリコンに対し下記を実現します。

・絶縁破壊電界強度１０倍

・バンドギャップ３倍

これらの特性は高耐圧、高耐熱、小型、高速化の実現

につながります。

onsemiのSiC製品はSiC結晶からデバイス、

パッケージ製造、ソリューションサポートに至るまで

onsemiが管理しております。

SiC ダイオード、SiC MOSFET、SiC モジュール等の

ワイドバンドギャップに対応するパワー設計をご支援

いたします。

シリコンカーバイド（SiC）ダイオード

全く新しい技術を用いて、シリコン製品よりも優れた

スイッチング性能と高い信頼性を提供します。

シリコンカーバイド（SiC）MOSFET

高速かつ堅牢な設計に貢献し、高効率からシステムサイズと

コストの削減に至る、システムの利点を享受できます。

-M1ファミリー　1200V,1700V

ダイサイズが大きいため、RTH(熱抵抗)が低いです。SW損失と導通損失のバランスが取れています。

用途：DCDC、Traction Motor、高周波電力SW

-M2ファミリー　650V,750V,1200V

オン抵抗を出来るだけ小さくする事に特化しており、その為導通損失が格段に小さくなりますが、

高周波数化するとSW損失が増加します。低周波アプリに最適。(T10M相当）

用途: Motor Drive

-M3ファミリー　1200V

高周波アプリに最適、導通損失は大きいが、SW損失は小さいです。（T10相当）

用途: 高周波電力SW、LLC共振電源

出来るだけ小さいVGSでオン抵抗が小さくなることが

望ましいです。VGSドライブ電圧の大きさに比例して

ゲート損失が大きくなるためです。

オンセミ製品ではVGS=12Vでは２番目に小さく、

VGS=20Vでは11mΩと１番少ないです。

turn on時のSW損失については

オンセミ製品は中庸を得ています。

温度に比例してオン抵抗は増加しますが、

低温から高温時までの変化分は

できるだけ少ないほうが望ましいです。

オンセミ製の変化分は123%と

２番目に少ないです。