Middle-Voltage MOSFET｜オーエスエレクトロニクス株式会社

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Middle-Voltage MOSFET

メーカーWebサイト：https://www.onsemi.jp/products/discrete-power-modules/mosfets

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製品特長

概要

MOSFETに要求されるキーパラメータ、オン抵抗、スイッチング特性、リカバリーダイオードによるリンギング・サージに対し、
各々の特性を最適化したプロセスを用意しアプリケーションに最適な製品ご提案をいたします。

  • 広範囲耐圧 40V, 80V, 100V, 120V, 150V, 200V
  • 豊富なパッケージラインナップ
  • T10M 40V : HTGB 2000時間

 

 

特長
T6プロセス(超低オン抵抗)

 T8プロセス(高速スイッチング対応)


 PTNGプロセス(最小リンギング・サージ)

特長：
・低オン抵抗(一例:60V 0.7mΩ, 8x8mm角
40V 0.13mΩ, 5x6mm角)
・電力密度の向上
・バッテリーライフの向上

 

常時ONでの電力損が重要となる
バッテリーアプリケーション等に最適

特徴：
・Qg, Qossの向上
・Switching Lossの向上



高速スイッチングでの高効率を重視する
電源アプリケーション等に最適

特長：
・高速リカバリー特性
・リンキングが少ない
・スイッチング時のサージが少ない



スイッチング時のリンギング・サージが
重要となるモーターアプリケーションに
最適



■T10プロセス(アプリケーション別最適化)

T10(T-X) : DCDCコンバータ回路用途

特徴：
・高効率, 低容量
・RDS-ON Qsw
・RDS-ON COSS		 T10(T-M) : モータ制御, ロードスイッチ 用途

特徴：
・低 ON
・低 Qrr(ボディーダイオード)
・低 EMI(ソフトスイッチング)

 

 

車載 MOSFET シリコンテクノロジーロードマップ


 

 

 

■パッケージラインナップ

SO8FL 5x6

u8FL 3x3

PQFN 8x8

PQFN DC 8x8

TOLL

D2Pak7L

TO220

 

 

 

 

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