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IPM：オールインワン技術&新技術

IPM : Intelligent Power Module　→　IGBT、保護回路などを一体化したモジュール

パワーブロックをモジュール化することで、小型化・軽量化を実現しました。

モジュールは、Rth が低く、ヒートシンク構造がシンプルで

熱管理が優れているため、より高出力に適しています。

IPM vs.ディスクリートソリューション

Øコスト削減

ü製品価格：IPM はディスクリートソリューションに比べ高価です。

ü全体的なシステムコスト：IPMはヒートシンク、周辺部品等の追加部品が不要です。

PCBの省スペース化および設計リソースの削減も可能になることから、システムコスト全体の削減につながります。

Ø設計の容易化

üIPMのゲートソースおよびシンク電流は固定化されています。Rg値が固定されていることにより、

設計リソースの労力削減につながります。

üただしRg値を変更してスイッチング速度を変更することはできません。

Ø高信頼性

üIPMの高い信頼性はJEDEC/ AES-Q101に基づく厳しい信頼性試験によって証明されています。

Øピンコン品の入手性

üIPMはピンコンパチブル品が不足しているため、セカンドソースを見つけにくいことが難点です。

ü現在IPMメーカーはこの点を改善すべくピンコン品の開発を試みています。

IGBT IPM VE-TracTM Direct

Spec

　-耐圧 : 750V

　-許容電流 : 640A ~ 950A

-Tj : 175℃

　-各相にサーミスタ内蔵

　　 5KΩ(typ)(Tc=25℃ )

-Low Vce(sat) : 1.55V(max)　

-寄生インダクタンス: 8nH以下

Features

1.RΘjfの改善

上図のように空気冷却のみならず、水冷却にも対応しています。

これによりRΘjfが改善され、より大きな電力供給が

可能になりました。

NVH820S75L4SPB: 0.11℃/W

NVH820S75L4SPC: 0.11℃/W

NVH950S75L4SPB: 0.083℃/W

相電流400Arms流したポイントでVE-Trac DirectパッケージはVE-Trac DualのものよりTjが15℃も小さくなっています。

2.モジュール自己損失の改善

最もよく使用される電流エリアで、例えば相電流350A流したポイントでの比較では、HPDシリーズより

自己損失は250W改善されています。